全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild近日推出800V SuperFET II MOSFET系列，该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻(Rdson)和输出电容(Coss)。新系列帮助设计师提高高性能解决方案（需要600V/650V以上的击穿电压）的效率、成本效益和可靠性，同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。

800V SuperFET II MOSFET系列的最佳可靠性，加上出色的效率和热特性，使其成为各种应用的理想之选。同时，多种可选封装为设计师带来巨大的灵活性，在尺寸受限的设计中尤为如此。该系列的关键应用包括LED照明、LED电视和家庭影院音响设备的电源、电源适配器、服务器、工业电源和辅助电源及微型太阳能逆变器。

“借助Fairchild的全新800V SuperFET II MOSFET系列，制造商可提高产品的效率和可靠性。由于优越的开关性能和低导通电阻，此系列的效率明显优于最接近的竞争产品，”Fairchild的首席技术市场工程师Wonhwa Lee 说。“新系列采用最新的超级结技术，实现小形状因数及更胜以往的高效率，其耐用的内置二极管在高dv/dt条件下可提高工业桥式电路的可靠性。”

Fairchild最新的SuperFET II MOSFET系列由Rdson范围为4.3欧姆至业内最低60毫欧的26个器件（均以各种标准封装提供）组成，为设计师在针对特定应用采用最佳器件中提供更多选择和灵活性。例如，FCD850N80Z是该系列的主要成员，将DPAK中异常低的850毫欧Rdson（最大值）与比主要竞争产品低6~11% 的Rdson（最大值）和低8~13%的Coss(@400V)相结合，使其成为需要低导通电阻和尺寸受限的LED照明应用的理想之选。

Fairchild 800V SuperFET II MOSFET的成员包括：