日本九州工业大学有机电子研究组（KORG）开发出了在空气中稳定性较高的n型有机半导体。据该大学介绍，其制造工艺也很简单，而且可在室温下进行。在2010年9月14～17日于长崎大学举行“2010年秋季第71届应用物理学会学术演讲会”之前，日本应用物理学会举办了会前发布会，这一消息是该大学在发布会上宣布的。九州工业大学在应用物理学会上的演讲序号为15a-H-4。

　　身为KORG成员的九州工业大学信息工程研究院电子信息工程研究系助教永松秀一表示，研究组已采用该半导体实际制作了有机TFT（OTFT），并已确认即使将其暴露在高温多湿的空气中120天以上，也几乎不发生性能劣化。该研究组还在塑料薄膜底板上制作了结合使用p型有机半导体的CMOS逆变器电路，并已确认即使在空气中放置两周，也几乎不发生性能劣化。

　　关于p型有机半导体，目前已开发出了多种在迁移率及耐久性方面表现出较高性能的材料，而n型有机半导体方面，绝大部分材料的制造工艺都比较复杂，而且在空气中的寿命非常短。永松表示，此次开发出这种半导体之后，距离实现以卷对卷方式制造有机RFIC标签，以及将n型有机半导体应用于有机薄膜太阳能电池的目标又近了一步。

　　只需在室温下放置两小时即可

　　此次开发的n型有机半导体采用“克诺维纳盖尔缩合”（Knoevenagel cONdensation）反应的工艺制造而成，只需以乙醇钠（Sodium Ethoxide）为催化剂，使市售的两种苯衍生物在乙醇中发生两小时的化学反应。据九州工业大学介绍，这种反应可在室温下进行，缩合率高达93％。

　　永松表示，采用这种半导体在硅底板上制造OTFT时，真空中的特性方面，载流子迁移率为0.17CM2/Vs，导通电流与截至电流之比为106。即使将其暴露在湿度为60～85％的空气中120天，载流子迁移率也可保持在0.1cm2/Vs以上。

　　另外，该大学还采用因在空气中的稳定性较高而为人所知的p型半导体材料——Dimethyl STyryl Benzene（二甲基苯乙烯）以及此次开发的n型有机半导体，在PEN薄膜底板上制作了CMOS逆变器电路，并已确认可表现出增益达到40以上的逆变器性能。在用干燥剂除去湿气的空气环境下，即使放置两周，性能也几乎不会发生变化。

　　今后的课题是，如何提高尚比有机RFIC标签所需目标小1位数的载流子迁移率。据该大学介绍，除了开发材料之外还要提高元件特性，以解决这一课题。