新日本无线开发完成了设有旁通电路低噪声放大器GaAs MMIC NJG1138HA8，并开始发放样品。该产品面向欧洲，最适用于900MHz频段W-CDMA模式手机。
近年来，为了降低手机成本，RF-IC的CMOS化在不断地进步。以往的低噪声放大器内置于RF-IC内，但是CMOS工艺很难构成便宜又具有高线形性的低噪声放大器。所以有必要增加外部元件的低噪声放大器。因此，要通过CMOS工艺来降低成本，外部元件的高线形性的低噪声放大器是必要的。NJG1138HA8就是能满足这种要求的设有旁通电路低噪声放大器。用于900MHz频段W-CDMA模式手机终端。
NJG1138HA8是由低噪声放大电路、旁通电路、控制用逻辑电路构成的低噪声放大器。具有内置高线形性、低消耗电流、ESD保护电路等特征，并且为防止离基地局较近地区发生的强磁场输入时所造成的放大器视失真，设置了不经过放大电路的旁通模式(Low gain模式)。
通过使用高性能HJ FET工艺，NJG1138HA8即实现了高线形性 (IIP3 0dBm typ.@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz)和低消耗电流(2.3mA ty
p.@VCTL=1.8V)。
内置保护元件，用HBM(Human Body Model)方法，NJG1138HA8实现了2000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)静电耐压
产品性能及特点概要
●低工作电压：+2.8V typ.
●低控制电压：+1.8V typ.
[high gain 模式]
●低消耗电流：2.3mA typ.@VCTL=1.8V
●高增益：16.0dB typ.@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz
●低噪声指数：1.4dB typ.@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz
●高1dB压缩时的输入电力：-8.5dBm typ.@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz
●高输入IP3：0dBm typ.@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz
[low gain 模式]
●低消耗电流：10μA typ.@VCTL=0V
●高1dB压缩时的输入电力：+16.0dBm typ.@VCTL=0V, fRF=942.5MHz
●高输入IP3：+14dBm typ.@VCTL=0V, fRF=942.5MHz
●符合无铅无卤化物标准
