道康宁公司(DowCorningCorp)和TokyoOhkaKogyoCo.,Ltd.(TOK)宣布，双方已经开发并推出了一种可大量上市的双层光阻剂。这种双层光阻剂使用的是成像层中的一种硅聚合物，从而改善了蚀刻选择性，满足了65纳米以及大于65纳米的芯片光刻的需求。这种新型光阻剂的高硅含量还消除了对一个单独的硬掩模层(hardmasklayer)的需求，从而简化了低于65纳米制程。

无论是从光阻剂技术来看，还是从193纳米芯片光刻的扩展来看，这种具有突破性意义的材料都标志着半导体行业向前发展的重要一步。道康宁公司的创新型硅聚合物与TOK的感光材料的结合使得TOK能够推出一种新型光阻剂。通过消除硬掩模层以及相应的制程步骤，这种新材料为低于65纳米制程提供了一种具有成本效益的解决方案。
随着半导体行业寻求把193纳米芯片光刻超越45纳米节点，人们需要薄的成像层来达到必要的解析度以及理想的制程工艺窗口。把更小的线路类型成功转换到目标晶圆上同样需要提高蚀刻选择性。一般说来，目前基于有机化学的芯片光刻对蚀刻选择性没有要求，因此芯片光刻经常与其他一些层联合使用，其中包括提供必要蚀刻阻力的硬掩模层。
这种TOK推出的新型光阻剂目前已经上市，它还显示出其在芯片光刻制程中令人察觉不到的除气作用。除气作用可减缓在曝光过程中化学物的释放，以前的包含硅成分的光阻材料已经被证明不能很好地被除气，这是由于在除气过程中释放的硅可能对一种曝光工具中的光产生不利影响。