采用8引线（2mmx2mm）DFN和SOT-23封装，　 可以驱动一个可选的外部 P 沟道 MOSFET，以实现负电压保护。，用准确度为2%的5.8V过压门限检测过压事件，并在1us（最大值）内快速响应，以隔离下游组件的输入。高达80V的过压保护可以用这个简单的IC/MOSFET解决方案实现，而无需额外的外部组件（如输入端的电容器或抑制器）。

　控制一个低成本外部N沟道MOSFET，以在正常工作时提供一条从输入到负载的低损耗通路。浪涌电流限制通过控制栅极的电压转换率实现。如果输入端的电压超过5.8V过压门限，那么GATE就在1us内被拉低以保护负载。当该IC用2.5V至5.5V的电源工作时，输入引脚可以承受80V的瞬态或DC过压。LTC4361具有由/ON引脚控制的软停机功能，并为可选的外部P沟道MOSFET提供栅极驱动输出，以实现电压反向保护。

引脚排列图：