VP-1000

来源：－－作者：－－浏览：574 时间：2016-08-10 14:18

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摘要：【用　途】单片语音录放电路【性能参数】采用40脚双列直插式封装。CMOS工艺制造，连续可变斜率增量调制技术(CvSD) 的大规模集成电路。芯片适合配接静态存储器SRAM或只读存储器ROM或EPROM。寻址能力为32k×8位。采样速率为9．6～128kbps范围内可调。内部有时钟振荡电路，外接RC

【用　途】单片语音录放电路 【性能参数】

采用40脚双列直插式封装。CMOS工艺制造，连续可变斜率增量调制技术(CvSD) 的大规模集成电路。芯片适合配接静态存储器SRAM或只读存储器ROM或EPROM。寻址能力为32k×8位。采样速率为9．6～128kbps范围内可调。内部有时钟振荡电路，外接RC即可工作。单一电源供电，工作电压为直流 (3～6)V。静态工作电流为50tLA。

VP-1000引脚图：

VP-1000内部结构框图

【互换兼容】

图中接了一片8k x 8的SRAM，在采样频率为10kpbs时能存放6s多的录音信息。Sl为放音开关，S2为录音开关。VP-1000和已烧制好的存储器相连只做放音的电路如上图所示。

只作放音的

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