;;; 根据命名的习惯，理想情况下，PCF8563T晶体管是带有跨导调制端（即基极）的电阻。基极的输入电流应该比较小，集电极和基极电流比值较高，这也是通常情况下发射区(如N+或者P+)比基区（如P或者N）扩散浓度大的原因。集电极低掺杂（如N-或者P-）减小了反向偏置电流，增加了BC结的击穿电压，即可承受更高的CE电压。由于流经集电极的电流是少数载流子扩散进入基区形成的，因此与正向偏置BE结电压，讫呈指数关系，如图2.ll(b)所示的FV关系曲线。由于BC耗尽区随着CB电压。的增加而增加，基区宽度W。7随着CE电压VC的增加而减小，而基区宽度的减少将降低基区中少数载流子复合的数量，所以，集电极电流有轻微的增加.
;;; 此处应注意图中表示发射极的箭头方向和I-V特性曲线上BE结电流方向酌点。;;;;;;;;;;;;
;;; 双极型晶体管有四个工作区。从模拟的角度来看，最希望的工作区域是此前所描述的情况，即发射结正偏，集电结反偏，因为工作在这种情况下，器件具有最高的电流和电压增益。因此工艺设计工程师会将器件进行优化，使其适合于这一特殊区域，即正向偏置模式。如果将发射极和集电极的偏置情况交换，也会产生与正向偏置模式下相似的动态电流特性，但是没有正常情况下的性能优良。与正向偏置的情况一样，集电结正向偏置引起载流子从集电区向基区扩散，而反向偏置发射结会使扩散的少数载流子流人发射区。但是，与正向偏置情况不同，其电流幅度和相应的电流增益变小，这是因为集电区的自由载流子相对于发射区要少，也就是说，其掺杂浓度低。
;;; 集电结正向偏置的同时，发射结也正向偏置，会引入集电结电流，但是相对于正向偏置模式下，降低（或者使其饱和）了双极型晶体管的有效电流增益。但是，实际上集电结轻微的正向偏置电压（即晶体管轻度饱和，如0～0.3V）引起的额外基极电流几乎都可以忽略，因此仍然可以保持与正向偏置模式下的高电流增益。但是如果两个结都反向偏置，所有端口流过的电流几乎都可以忽略，也就是器件处于关断状态。值得注意的是，与二极管类似，温度越高，扩散过程越剧烈（即通过增加少数载流子扩散系数和迁移率，可以增加反向饱和电流），所以较小的发射结偏置电压就可以形成较大的集电极电流。