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摘要:0.15Ga0.85N/GaN MQW 450nm图1:(a)放大n极LED的剖视图和电路原理图;俯视图(b)传统的(LED-C),没有n极的梳状LED-F3以及LED-F5,(c)等离子处理得到的梳状(LED-F3-P 和 LED-F5-P)。(c)中的阴影区域即等离子处理区域。-3Ohm-cm222图2:LED-C以及LED-F3-P的(a)正向和(b)反向ESD特征。
0.15Ga0.85N/GaN MQW 450nm图1:(a)放大n极LED的剖视图和电路原理图;俯视图(b)传统的(LED-C),没有n极的梳状LED-F3以及LED-F5,(c)等离子处理得到的梳状(LED-F3-P 和 LED-F5-P)。(c)中的阴影区域即等离子处理区域。
-3Ohm-cm222
图2:LED-C以及LED-F3-P的(a)正向和(b)反向ESD特征。
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| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |