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摘要:上周有消息传出称高通新一代旗舰处理器将更名,按照高通的命名惯例,高通明年的新款旗舰处理器应该就是骁龙830,不过传闻称高通可能将之命名为骁龙835或者骁龙850。而就在外界还在纳闷或者是猜测该传闻的真实性的时候,高通突然宣布了下一代旗舰处理器的确将命名为骁龙835,而且将继续与三星合作,采用后者最新的10nm FinFET工艺制程。高通当前最新的骁龙820和骁龙821旗舰处理器均基于三星的14nm
上周有消息传出称高通新一代旗舰处理器将更名,按照高通的命名惯例,高通明年的新款旗舰处理器应该就是骁龙830,不过传闻称高通可能将之命名为骁龙835或者骁龙850。而就在外界还在纳闷或者是猜测该传闻的真实性的时候,高通突然宣布了下一代旗舰处理器的确将命名为骁龙835,而且将继续与三星合作,采用后者最新的10nm FinFET工艺制程。
高通当前最新的骁龙820和骁龙821旗舰处理器均基于三星的14nm芯片工艺,性能表现颇为可观,骁龙835采用三星的10nm工艺并不让人意外。三星在今年10月份宣布他们以全球首家的身份开始量产10nm FinFET工艺制程芯片,根据三星公布的数据,相比14nm工艺,10nm LPE性能提升27% ,功耗降低40%,提升30%的面积效率。
高通产品管理高级副总裁Keith Kressin表示:“我们很高兴继续与三星公司合作,共同开发移动行业的领先产品。全新的10nm工艺将让我们顶级的骁龙835处理器在能效以及性能方面有大幅的提升,同时也让我们能够为之加入更多的功能,以提升未来移动设备的用户体验。”
骁龙835当前已经开始生产,首批搭载该处理器的设备预计将会在2017年上半年上市。
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |