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摘要:1.指令符号 表1 为地址下降沿检测指令说明表。 表1 地址下降沿检测指令说明表 参数 数据类型存储器区域 说明 <地址1> BOOLI、Q、M、L、D <地址1>是被检测下降沿变化的 信号<地址2> ( M_BIT)BOOLQ、M、D <地址2>是用来指定“沿变化” 的存储器位,该位保存的是上一次NEC的信号状态。如果这一地址没有被输入模板使用,
1.指令符号
表1 为地址下降沿检测指令说明表。 表1 地址下降沿检测指令说明表
参数 数据类型存储器区域 说明 <地址1> BOOLI、Q、M、L、D <地址1>是被检测下降沿变化的 信号<地址2> ( M_BIT)BOOLQ、M、D <地址2>是用来指定“沿变化” 的存储器位,该位保存的是上一次NEC的信号状态。如果这一地址没有被输入模板使用,对M_BIT位只使用 I的输入镜像区 Q BOOLI、Q、M、L、D 单脉冲输出2.指令功能说明 地址下降沿检测指令是将<地址1>的信号状态与存储在<地址2>中的上次扫描的信号状态进行比较。如果当前的信号状态是“0”,上一次的信号状态是“1” (检测到下降沿),则在这一指令后的RLO将置成“1”。 表2 为地址下降沿检测指令对状态位的影响。 表2 NEG地址下降沿检测指令对状态位的影响
-BRCC1CC0OVOSORSTARLO/FC写状态位-- - --x 1 x13.指令应用举例(见图1) 如图1所示,在下面的条件都满足的情况下,输出Q4.0的信号状态为“1”: 1)输入I0.0、I0.1、和I0.2的信号状态都是“1”; 2)输入I0.3上有“下降沿”信号检测到; 3)输入I0.4上的信号状态为“1”。
图1 NEG指令应用举例
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |