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摘要:当PN结外加反向电压,即电源的正极接N区,负极接P区。外加电场方向与PN结内电场方向相同,PN结处于反向偏置。在反向电压的作用下,P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN结,使耗尽区厚度加宽,PN结的内电场加强。这一结果,一方面使P区和N区中的多数载流子就很难越过势垒,扩散电流趋近于零。另一方面,由于内电场的加强,使得N区和P区中的少数载流子更容易产生漂移运动。这样,流过PN结的电流由起支配地
当PN结外加反向电压,即电源的正极接N区,负极接P区。外加电场方向与PN结内电场方向相同,PN结处于反向偏置。在反向电压的作用下,P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN结,使耗尽区厚度加宽,PN结的内电场加强。这一结果,一方面使P区和N区中的多数载流子就很难越过势垒,扩散电流趋近于零。另一方面,由于内电场的加强,使得N区和P区中的少数载流子更容易产生漂移运动。这样,流过PN结的电流由起支配地位的漂移电流所决定。漂移电流表现在外电路上有一个流入N区的反向电流IR。由于少数载流子是由本征激发产生的,其浓度很小,所以IR是很微弱的,一般为微安数量级。当管子制成后,IR数值决定于温度,而几乎与外加电压无关。IR受温度的影响较大,在某些实际应用中,还必须予以考虑。
PN结在反向偏置时,IR很小,PN结呈现一个很大的电阻,可认为它基本是不导电的。

| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |