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高通将在CES 2017上披露骁龙835处理器的更多细节

来源:电子发烧友 作者:华仔 浏览:192

标签:

摘要:尽管三星和高通已经宣布骁龙 835 将采用 10nm FinFET 工艺打造,但尚未披露有关该芯片的更多细节。...

尽管三星和高通已经宣布骁龙 835 将采用 10nm FinFET 工艺打造,但尚未披露有关该芯片的更多细节。此外,即使我们知道 Galaxy S8 会成为首批搭载该 SoC 的设备之一,但其商用时间还不是很清楚。三星执行副总裁兼制造业务负责人 Jong Shik Yoon 表示:“我们很高兴有机会与高通在骁龙 835 的生产上紧密合作”。

高通早前表示骁龙 835 早已开始生产,并且预计商用设备会在 2017 年上半年到来。

鉴于许多旗舰设备都会在 2017 年的前 2 个月发布(移动世界大会 / MWC 2017),我们对于能在明年上半年买到几款搭载骁龙 835 设备感到好奇。

三星和高通方面都证实,骁龙 835 CPU 将采用全新 10nm FinFET 工艺。与上一代骁龙处理器相比,其空间效率可提升 30% 、性能提升 27% 、且能耗降低 40% 。

最后,高通在 Twitter 上暗示,新款处理器“将在 CES 2017 上重点亮相”,因此我们无需再等待多久。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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