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L6385E

浏览次数:444次

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L6385E中文资料规格参数

L6385E概述

制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET 及电源驱动器 IC
产品: Half-Bridge Drivers
类型: High and Low Side
上升时间: 50 ns (Typ)
下降时间: 30 ns (Typ)
传播延迟时间: 110 ns (Typ)
电源电压(最大值): 17 V
电源电压(最小值): - 0.3 V
电源电流: 250 uA
最大功率耗散: 750 mW
最大工作温度: + 125 C
最小工作温度: - 45 C
封装 / 箱体: PDIP-8
封装: Tube
桥式: Half Bridge
最大关闭延迟时间: 105 ns
最大开启延迟时间: 110 ns
安装风格: Through Hole
激励器数量: 2
输出端数量: 2
输出电流: 0.65 A
输出电压: 580 V

L6385E数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
STMICROELECTRONICS
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
60000
ST/意法
17+
原装正品量大订货
1
-
22+
NA
15207542600回收电子物料工厂呆料库存清单
5000
ST/意法
2018+
全新原装国外现货
7
ST/意法
21+
DIP-8
有挂即全新原装现货
10000
ST/意法
24+
N
原装现货

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