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NTJD1155LT1

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NTJD1155LT1最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
NK/南科功率
¥0.115

NTJD1155LT1中文资料规格参数

NTJD1155LT1概述

制造商:ONSemiconductor
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:否
配置:Dual
晶体管极性:P-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.26Ohms
汲极/源极击穿电压:-8V
闸/源击穿电压:1V
漏极连续电流:+/-1.3A
功率耗散:0.4W
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SC-88
封装:Reel
最小工作温度:-55C
StandardPackQty:3000
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
86500
ONSEMI/安森美
19
SOT-363
大量货源长期供货
36000
ONSEMI/安森美
09+ROHS
SOT-363
优势产品特价热卖
48000
ONSEMI/安森美
10+PB
SOT-363
优势产品特价热卖
15000
ONSEMI/安森美
2024+PB
SOT-363
大量供货
深圳
46300
ONSEMI/安森美
19
SOT-363
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供应商 型号 品牌 批号 封装 交易说明
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