源漏极间雪崩电压VBR(V):8
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):175
最大漏极电流Id(on)(A):1.300
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150
描述:8 V, ± 1.3 A功率MOSFET