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摘要: 据日经BP社报道,日立制作所在“nano tech 2009(国际纳米技术综合展)”(2月18~20日)上展出了芯片尺寸为1.9mm见方的LSI集成型压力传感器。是利用LSI制造工艺把压力传感器制造到LSI上形成的(参阅本站报道),与该公司此前发布的3.4mm见方的试制品相比,体积大幅缩小。该公司正在探讨利用150mm晶圆生产线的量产事宜。 将尺寸由3.4mm见方缩小到1.9mm见方的理由有二。一是在LSI的正上方形成压力传感器。原来的试制品虽然
将尺寸由3.4mm见方缩小到1.9mm见方的理由有二。一是在LSI的正上方形成压力传感器。原来的试制品虽然层积了LSI及压力传感器,但由于要优先确立核心技术,因此为了不在LSI的正上方层叠压力传感器,只好沿水平方向错位形成。另一点是此次削减了压力传感器部分留有的多余空间。留有空间的理由是为了配备压力传感器以外的传感器。
另外,日立此次还介绍了可通过改变隔膜(承受压力后弯曲的薄膜部)尺寸,改变检测压力灵敏度的技术。利用该技术,可使集成型压力传感器的设计及制造工艺实现标准化,还可将达到通用水平的集成型压力传感器应用于多种用途。
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |