Diodes公司 (Diodes Incorporated) 为空间要求严格的产品设计扩充旗下超小型分立器件产品系列。新推出的三款小信号MOSFET包括了20V和30V额定值的N通道晶体管，以及30V额定值的P通道器件，产品全都采用了DFN0606微型封装。每个器件的电路板占位面积仅0.6mmx0.6mm，比一般采用DFN1006(SOT883)封装的MOSFET小40%，是下一代可穿戴科技产品、平板电脑及智能手机的理想之选。

DMN2990UFZ（DMN2990UFZ数据手册）(20V nMOS通道)、DMN31D5UFZ（DMN31D5UFZ数据手册）(30V nMOS通道)和DMP32D9UFZ（DMP32D9UFZ数据手册）(30V pMOS通道) 能够提供与大多数大型封装器件相同甚至更佳的电气性能。新产品旨在尽量降低导通电阻，并同时维持卓越的开关性能。此外，器件的典型阈值电压低於1V，这种低开启电压适合单电池工作模式。

全新微型MOSFET非常适合进行高效率功率管理，还可作为通用介面及简单的模拟开关。这些DFN0606封装器件的功耗达到300mW，使电路功率密度得以提升。

TDK集团近日推出了爱普科斯(EPCOS)环形电容器（RingCap）。这是一款采用创新设计的电力电容器，尤其适合xEV应用。借助其环形配置，该新型环形电容器可集成至离合器钟形箱或轮毂电机中。其尺寸可根据用户的特殊需求而定制，外径最常可达315mm，宽度则不会超过50mm。

爱普科斯(EPCOS)环形电容器(RingCap)专为额定电压为100V DC至900V DC的应用而设计，其电容值范围为100µF至2000µF。除了主绕组，带隔离端子的Y-电容器也可集成至绕组中。此外，电容器经过真空特殊热处理，优化了长期稳定性。采用由聚丙烯膜(PP)或聚对苯二甲酸膜(PET)的标准薄膜电容器，适用温度范围为-40 °C至+105 °C；对于采用聚萘二甲酸膜(PEN)的薄膜电容器，最高工作温度可高达+150°C。

由于电容器的低等效串联电感(ESL)值最低可低至10nH以下，最高达30nH，因此高速切换操作期间，直流链路不会出现意外的过压现象。我们还提供树脂填充封装，以更好保护电容器不受环境影响。

主要应用

• 用于混合动力和电动汽车的直流链路电容器
• 主要特点与优势
• 灵活的环形设计
• 额定电压为100V DC至900V DC
• 电容值为100µF至2000µF