Diodes公司(Diodes Incorporated)推出一对MOSFET H桥，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品通过减少元件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积，简化电机驱动和电感无线充电电路。40V额定值H桥DMHC4035LSD旨在满足车用电机驱动应用的要求；30V额定值H桥DMHC3025LSD则适合12V单相风扇应用。

DMHC3025LSD及DMHC4035LSD把双N通道和双P通道MOSFET集成到占位面积仅为5mmx6mm的单一SO-8封装，成为完整的H桥。替代尺寸相当于四个SOT23封装或两个SO-8封装的器件，适用于多种受空间限制的汽车和工业应用，包括低功率直流无刷电机驱动器和风扇控制，并且满足驱动电感负载的类似要求。

两款H桥节省空间的优势与MOSFET的低导通电阻性能相辅相成，40V N通道器件在10V VGS的电压下一般只有45mΩ的电阻；40V P通道器件的电阻在-10V VGS的电压下则为65mΩ。器件的低导通电阻可把传导损耗降到最低，从而能够在电机堵转的情况下承受较高的连续电流。这些30V及40V额定值的H桥在+70ºC的高温工作环境下，可分别提供3A和2A的连续电流，以适应最坏情况下的电机堵转电流。

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK SC-70封装的新款20V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA466EDJ。Vishay Siliconix SiA466EDJ的占位面积为2mmx2mm，具有业内最高的封装限制电流，可使便携式电子产品实现更高的功率密度和可靠性。它同时也是业内唯一具有±20V的额定VGS，提供集成ESD保护功能的此类器件。

SiA466EDJ的25A封装限制电流比最接近的器件高13%。在负载开关应用里，高额定电流为大涌入电流和短路等故障情况提供了额外的安全裕量。MOSFET集成ESD保护功能，保护能力达到2500V，能防止因触摸或人体接触而导致的静电破坏。

今天推出的器件是多用途的电源管理解决方案，可用于便携式电子产品。器件具有大电流和出色的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)，适用于无线和快速电池充电器、智能手机、平板电脑、笔记本电脑和电子锁里面的同步降压转换器和负载开关。

为提高高频开关应用里的效率，SiA466EDJ在10V、6V和4.5V下的导通电阻分别为9.5 mΩ、11.1mΩ和13.0mΩ，可减少导通损耗，典型栅极电荷为6.3nC，栅极电阻为0.9Ω，使开关损耗最小化。MOSFET经过了100%的RG测试，符合RoHS，无卤素。

SiA466EDJ现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十三周。