昨天，智能手机制造商HTC发布了该公司2018年第二季度财报。财报显示，HTC第二季度营收为67.74亿新台币（约合2.21亿美元），税后净亏损为20.85亿新台币（约合6800万美元），较去年同期净亏损有所扩大。

HTC在2018年第一季度结束了连续11个季度亏损的历史，主要原因是谷歌在1月份完成了11亿美元收购Pixel团队及部分HTC知识产权的交易，让HTC获得了一次性收益。HTC第二季度的财报显示，该公司再次陷入亏损之中。

HTC第二季度营业亏损为34.36亿新台币，不及上一季度的营业利润83.4亿新台币。HTC第二季度营收为67.74亿新台币（约合2.21亿美元），较去年同期的161亿新台币下滑58%，较上一季度的155.63亿新台币下滑56%。

作为曾经的安卓手机巨头，HTC一度在全球智能手机市场占到10%的市场份额，但是随着苹果、三星、中国手机厂商的强势崛起，HTC的手机份额大幅下滑。就在上个月，HTC表示将在中国台湾制造部门裁减1500个岗位，约占该公司全球员工总数的四分之一。

HTC称，这次裁员是为了确保产能与市场需求相符，是推动持续创新及确保核心创造能力的必要步骤之一。HTC会尽到企业社会责任，全力协助被影响的员工。

上周有媒体报道称，HTC可能会彻底退出印度智能手机市场。虽然HTC将退出印度智能手机市场，但该公司的其他部门，如虚拟现实眼镜Vive仍将会在印度市场进行销售。

在Flash Memory Summit（闪存峰会）中，SK海力士宣布推出了全球首款4D闪存。SK海力士，它在NAND市场的全球份额排名第五，DRAM份额全球第二。　　

首先是3D NAND的技术路线选择，SK海力士称，CTF(Charge Trap Flash，电荷捕获型)比Floating Gate(浮栅型)存储单元面积更小、速度更快、更耐用(P/E次数多)。

其实三星从2013年的第一代V-NAND 3D闪存就开始使用CTF了，东芝/西数(闪迪)的BiCS亦是如此。当然，美光/Intel还是坚持浮栅，不过这倒无所谓，毕竟他们有更厉害的3D Xpoint(基于相变内存，还一说是ReRAM磁阻式内存)。　　　　

从现场给出的技术演示来看，4D闪存和此前长江存储的Xtacking十分相似，只不过外围电路(PUC，Peri。Circuits)在存储单元下方，好处有三点，一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本降低。

参数方面，号称业内第一款4D闪存是V5 512Gb TLC，采用96层堆叠、I/O接口速度1.2Gbps(ONFi 4.1标准)、面积13平方毫米，今年第四季度出样。　　

BGA封装的可以做到1Tb(128GB)，模组最大2TB，塞到2.5寸的U.2中更是可以做到64TB，2019年上半年出样。　　

性能方面，V5 4D芯片面积相较于V4 3D减小20%、读速提升30%、写速提升25%。V5 4D也规划了QLC闪存，通过96层堆叠，单Die最小1Tb，明年下半年出样。