据日经BP社报道，东芝将从09下半年开始供应30nm工艺的NAND型闪存样品。该产品准备在09年度内开始量产。东芝半导体内存事业部长小林清志表示，目前正在通过测试板卡进行评测，今后将集成到芯片中。

30nm工艺的每片芯片容量，在采用2bit单元的多值化技术时为64Gbit。为了在延长浮游栅构造的寿命的同时保持写入及读取性能，在inter-poly绝缘膜（控制栅与浮游栅之间的绝缘膜）等中采用了新材料。光刻工艺计划采用二次曝光（Double Patterning）。