据日经BP社报道，日本矢野经济研究所公布了电子部件等使用的SiC及GaN等单晶的市场调查结果。被该研究所称为功能性单晶的宽禁带半导体用单晶以及非线性光学晶体等，大多尚未达到实用和量产水平。不过，预计今后市场有望扩大的是SiC以及GaN等。

2006年SiC单晶的市场规模为40亿日元。SiC目前已投产的元件很少，主要用于研究开发。但是，随着元件实用化的研发，需求有不断扩大的倾向。现在，主要供应SiC单晶的厂商是美国Cree。关于今后的市场动向，矢野经济研究所预计使用硅的高耐压离散部件将被SiC取代。矢野经济研究所预计，在2～3年内除了已投产的二极管、MOSFET等的开关部件将量产外，5年后的2013年将形成一定的市场。SiC底板方面，除了采用在SiC上形成有外延SiC薄膜的电子部件外，使用GaN的HEMT元件以及发光元件的底板存在需求。尤其HEMT元件，面向高速通信及手机基站的需求有望增加。矢野经济研究所预测SiC单晶的市场规模到2010年将达到105亿日元，2015年将达到300亿日元。

GaN单晶目前主要用于作为新一代DVD激光头使用的蓝紫色半导体激光器的底板。2006年GaN单晶的市场规模只有60亿日元，不过2006年以后这一领域的需求将猛增。目前这一市场的供货几乎全部来自住友电气工业。但是，今后随着新厂商准入的增加，量产的正式开始，预计市场将进一步扩大。主要用途除了新一代DVD装置用的蓝紫色半导体激光器底板外，还将用作投影仪和背投电视等激光显示用光源所用的蓝色半导体激光器底板。尽管现在GaN底板价格很高，但随着新厂商的进入和低成本量产方法的实现，也有可能实现成本的大幅降低。矢野经济研究所预测，新厂商大约会在2010年前后参入并开始提供样品。GaN单晶的市场规模2010年将达297亿日元、2015年将达575亿日元。