据日经BP社报道，9月16日于美国拉斯维加斯开幕的氮化物半导体国际学会“ICNS-7”于9月21日结束。会上，关于GaN、AlN及InN等氮化物半导体的技术发表接连不断。包括特邀演讲在内的口头发表约为200件，加上展板发表，达到近700件。有近850人与会。其中，与GaN类材料的非极性面及半极面相关的发表件数猛增。

学会相关人士指出：“2～3年前只是有几个研究小组，而现在则有大量研究机构涉及与非极性、半极性相关的研究”。此外，在基站高频电路以及白家电及汽车的电源电路采用的GaN类半导体元件（GaN元件）方面，发表也有所增加。

在闭幕前一天即9月20日的晚上，会议举办了大型晚宴，与会者欢聚一堂。晚宴在UCSB的中村修二致词中开始，餐后扮成世界著名歌手的演员还进行了模仿秀，现场气氛热烈。在最后一天即9月21日，预定当天下午召开的LED特别会议移到了其它日子，所以原定的闭幕式未举行，会议在中午时分结束。在会议结束后，依然有许多与会者在会场周围展开了热烈的讨论。