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利用MEMS实现可变波长的通信用激光发光元件亮相

来源:SEMI中国 作者:—— 浏览:366

标签:

摘要:据日经BP社报道,日本横河电机开发出可通过MEMS结构来改变面发光激光器(VCSEL)的波长的技术,并在日前举行的“微机械/MEMS展”上进行了展示。展出元件中,通过金凸块接合技术层叠了基于磷化铟(InP)的VCSEL芯片、以及集成有用于改变波长的MEMS部件的硅芯片。 此次的元件在硅芯片上形成了带有凹面镜的多层反射膜,在该反射膜与VCSEL芯片发光部之间设置了间隙。波长由这一间隙的距离决定。由

据日经BP社报道,日本横河电机开发出可通过MEMS结构来改变面发光激光器(VCSEL)的波长的技术,并在日前举行的“微机械/MEMS展”上进行了展示。展出元件中,通过金凸块接合技术层叠了基于磷化铟(InP)的VCSEL芯片、以及集成有用于改变波长的MEMS部件的硅芯片。

此次的元件在硅芯片上形成了带有凹面镜的多层反射膜,在该反射膜与VCSEL芯片发光部之间设置了间隙。波长由这一间隙的距离决定。由于间隙能够随着配备有多层反射膜的静电致动器发生微小变化,因此可利用这一点来控制波长。应用于光纤通信领域,输出普通的波长为1.55微米波段的激光时,能够在50nm的范围内改变其波长。该技术在实际应用时,在采用波长复用技术的光通信系统中,能够灵活地避开其它元件正在使用的波长,从而能够使通信容量得到实质性的扩大。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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