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摘要:据日经BP社报道,日本横河电机开发出可通过MEMS结构来改变面发光激光器(VCSEL)的波长的技术,并在日前举行的“微机械/MEMS展”上进行了展示。展出元件中,通过金凸块接合技术层叠了基于磷化铟(InP)的VCSEL芯片、以及集成有用于改变波长的MEMS部件的硅芯片。 此次的元件在硅芯片上形成了带有凹面镜的多层反射膜,在该反射膜与VCSEL芯片发光部之间设置了间隙。波长由这一间隙的距离决定。由
据日经BP社报道,日本横河电机开发出可通过MEMS结构来改变面发光激光器(VCSEL)的波长的技术,并在日前举行的“微机械/MEMS展”上进行了展示。展出元件中,通过金凸块接合技术层叠了基于磷化铟(InP)的VCSEL芯片、以及集成有用于改变波长的MEMS部件的硅芯片。
此次的元件在硅芯片上形成了带有凹面镜的多层反射膜,在该反射膜与VCSEL芯片发光部之间设置了间隙。波长由这一间隙的距离决定。由于间隙能够随着配备有多层反射膜的静电致动器发生微小变化,因此可利用这一点来控制波长。应用于光纤通信领域,输出普通的波长为1.55微米波段的激光时,能够在50nm的范围内改变其波长。该技术在实际应用时,在采用波长复用技术的光通信系统中,能够灵活地避开其它元件正在使用的波长,从而能够使通信容量得到实质性的扩大。
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |