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日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET---SiHB12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHP12N50C-E3
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30208-10
（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的器件当中最低的
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47608-10
CXA2550M/N是日本索尼公司生产的RF信号处理集成电路，广泛应用于索尼 VCD机芯中。CXA2550M/N们集成咆路可将激光头读取的光盘信息处理成汀信号输出，还将激光头识读光盘的状态处理成聚焦误差和循迹误差信号。其集成块的内电路方框图如图1所示。 图1 CXA2550M/N集成块的内电路方框图 CXA2550M/N集成电路采用SOP与SSOP两种20脚封装结构,其集成电路的引脚功能见表1
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73308-10
RF5836 4.9GHz 至 5.85GHz 802.11a/n前端模块RF5836 4.9GHz 至 5.85GHz 802.11a/n前端模块RFMD全新的RF5836以单个前端模块 (FEM)方式为 WiFi 802.11a/n系统提供完整的集成解决方案。
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41608-10
而在日前选择向开发者提前释出AndroidN体验内容，意味此次Google I/O将有不少重点环绕在Android作业系统，同时也预期如市场传闻将更着重在虚拟实境等应用体验，而人工智慧发展应用也不意外地将
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18812-19
（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET---SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。
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74508-10
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。
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45308-10
4个N沟道VMOS构成的H桥电路为实现电动机的正、反两个方向的转动，传统的电机驱动电路一般都采用大功率的VMOS管构成H桥电路。VMOS管有N沟道和P沟道之分，由于制造工艺方面的原因，P沟道的VMOS管通过的电流较小，因此，一般采用4个N沟道的VMOS管构成H桥电路(如图1所示)。
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1397605-11
（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新的100VN沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190D
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35708-10
（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET---SiHP12N50C-E3、SiHF12N5
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32708-10
