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印字 器件 厂商 类型 封装 器件用途及参数-28 PDTA114WU PhiNSOT323 PNP dtr-24 PDTC114TU PhiNSOT323 npn dtr R1 10k -23PDTA114TU PhiNSOT323 pnp dtr R1 10k -20 PDTC114WU PhiNSOT323 npn dtr-6 PMSS3906 Ph
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975108-10
Vishay推出新款500VN沟道功率MOSFET---SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。 SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性，从而能够更好地抵御EMI，实现更高的效率，同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。 Vishay今天推出的新MOSFET具有500V电压等级，在10V栅极驱动下的最大导通电阻低至1.0&Omeg
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91808-10
N沟道MOSFET延长便携设备电池寿命飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求，推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用先进的PowerTrench工艺技术，具有更低的RDS(ON)，更高的效率，并可延长电池寿命。
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87408-10
MAX7031是基于晶振的分数N分频收发器，设计用于发送和接收工厂预设的载波频率为308MHz、315MHz和433.92MHz的FSK数据，数据速率高达33kbps(曼切斯特编码)或66kbps(NRZMAX7031的发送频率由一个16位、分数N分频、锁相环(PLL)产生，接收器本振(LO
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83808-10
中国太阳能电池板制造商主导着产业，但是，有一种新方法，可以制备一种奇特的晶体硅，可能会有利于中国以外的太阳能公司，他们的设计具有材料优势。热熔炉：新的DSS450 锭铸炉可制备高档单晶硅，成本只有常规设备的一小部分。 GT先进技术公司（GT Advanced Technologies）
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29308-10
（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8VN沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x2mm的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在
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38908-10
宾夕法尼亚、MALVERN—2011年3月7日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出两款新的100VN沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si419
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37508-10
科锐（cree） 科锐成立于1987年，是美国上市公司（1993年，纳斯达克：cree），为全球led外延、芯片、封装、led照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的著名制造商和行业领先者。科锐led 照明产品的优势体现在氮化镓（gan）和碳化硅（sic）等方面独一无二的材料技术与先进的白光技术，拥有1,300多项美国专利、2,900多项国际专利和近390项中国专利（以上包括已授权和
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30308-10
LinearTechnologyCorporation)推出LTC4444/-5的H级版本，该器件是一款高速、高输入电源电压(100V)、同步MOSFET栅极驱动器，为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率
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34308-10
u-blox 推出了专为小型低功耗、低成本应用设计的最新 GPS 单芯片 UBX-G6010-NT。该芯片具有业界领先的定位性能，采用 u-blox 6 技术和微型封装，体积仅为 5 x 6 x 1.1 mm。该芯片集成度高，可以将完整、独立的 GPS 系统设计安装在一块面积比指甲盖还要小的 PCB上。UBX G6010-NT是独立式GPS接收机，无需借用外部主机的资源进行运算。u-blox 产品
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43008-10
诺基亚公司近日宣布，除了最近即将上市的N8机型之外，所有其后上市的N系列旗舰手机将不再使用塞班操作系统，将转为使用基于Linux的MeeGo操作 系统，MeeGo是由诺基亚开发的Maemo系统与Intel
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52308-10
