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工作电压2.5-5.5V,驱动电流0.2A。
关键词:
141 08-10
【用 途】 场效应调频/高频放大/混频管 【性能 参数】N沟 18V 2.5-6mA 0.15W 100MHz 【互换 兼容】
371 08-10
【用 途】 变容/电压调整管 【性能 参数】硅 Cj=11-17pF Cj1/Cj2=2.5 Rs=1.5欧 【互换
437 08-10
【用 途】 电压基准二极管 【性能 参数】硅 2.5-3.5V 380mA 1W Bvt=±0.2% Ctv=-9×10(-4次方)/℃ 【互换 兼容
501 08-10
【用 途】 场效应甚高频/前置/输入级/混频【性能 参数】N沟 25V 2.5-5mA 0.31W 100MHz 【互换 兼容】
195 08-10
【用 途】 高频放大场效应管 【性能 参数】N沟 50V Idss=2.5~7.5mA 0.3W Ron=600Ω Nf<0.5dB 【互换 兼容】2N4220A
394 08-10
【用 途】 电压基准二极管 【性能 参数】硅 2.5-2.8V 20mA 0.5mW Ctv=-0.08×10(负2次方)/℃ 【互换 兼容
253 08-10
【用 途】 变容/电压调整管 【性能 参数】硅 Pdm=80mW Cj=2.5-3.5pF Cj1/Cj2=5-6 Q=100 【
337 08-10
【用 途】 电压基准二极管 【性能 参数】硅 2.5-3.5V 71mA 250MW Ctv=(-6~2)×10(-4次方)/℃ 【互换 兼容
3581 08-10
【用 途】 微波电路 【性能 参数】2cm交场混频器,频率范围=±100MHz,Nf=7dB,VSWR=2.5,隔离度=100uW。
194 08-10
【用 途】 串行接口电可擦写存储器 【性能 参数】SOIC封装,容量4Kbit;工作电压2.5~5.5V。
345 08-10
【用 途】 变容/电压调整管 【性能 参数】砷化镓 Cj=0.31-0.5fF Cj1/Cj2=2.5 Q=20 【互换
399 08-10