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【用 途】 变容/电压调整管 【性能 参数】砷化镓 Cj=0.5-0.75pF Cj1/Cj2=2.5 Q=10 【互换
关键词:
360 08-10
【用 途】 串行接口电可擦写存储器 【性能 参数】工作电压=2.5~5.5V,存储容量=16Kbit。
275 08-10
【用 途】 串行接口电可擦写存储器 【性能 参数】工作电压=2.5~5.5V,存储容量=4Kbit。
244 08-10
【用 途】 电压检测器 【性能 参数】检测电压=0.9V±2.5%;输出特性N-ch(form);SOT-23封装。
297 08-10
【用 途】 CMOS运算放大电路 【性能 参数】双列8脚DIP封装,电源电压=2.5~11V,ESD=1.5kV。
216 08-10
【用 途】 串行接口电可擦写存储器 【性能 参数】工作电压=2.5~5.5V,存储容量=2Kbit。
314 08-10
【用 途】 通用型场效应管 【性能 参数】N沟 40V Idss=2.5~3mA 0.3W 100MHz Nf<2.5dB 【互换 兼容】2N5393
323 08-10
【用 途】 变容/电压调整管 【性能 参数】硅 25V 400mW Ct=35pF C1/C2=2.5 Q=7.0 【
139 08-10
【用 途】 变容/电压调整管 【性能 参数】硅 Cj=10.5-16pF Cj1/Cj2=2.5-3.4 Rs=0.7Ω 【互换
375 08-10
【用 途】 变容/电压调整管 【性能 参数】硅 Cj=10.5-16pF Cj1/Cj2=2.5-3.4 Rs=1Ω 【互换
336 08-10
【用 途】 变容/电压调整管 【性能 参数】砷化镓 Cj=0.71-1pF Cj1/Cj2=2.5 Q=10 【互换
209 08-10
【用 途】 变容/电压调整管 【性能 参数】砷化镓 Cj=1.5-2pF Cj1/Cj2=2.5 Q=3.5 【互换
259 08-10