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vishay推出新款500v n沟道功率mosfet --- sihf8n50l-e3。与前一代器件相比,该器件的开关速度和损耗均得到了改善。sihf8n50l-e3适用于zvs拓扑,具有低至63ns的trr和114nc的qrr,栅极电荷为34nc。sihf8n50l-e3改善了反向恢复特性,从而能够更好地抵御emi,实现更高的效率,同时避免出现导致mosfet烧毁的内部体二极管恢复故障。vish
关键词:
300 08-10
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列厚膜片式电阻---RCV e3,以满足工业和医疗应用对高电压器件的需求,同时节省宝贵的PCB空间。Vishay Draloric RCV e3器件采用0805和1206外形尺寸,限定芯电压分别为400V和500V。
关键词:
193 03-21