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【新品播报】IRF257

【用　途】 MOS场效应开关/功率放大管【性能参数】N沟 275V22A150W 130/98ns Ron=0.17Ω 【互换兼容】IRF256

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23608-10
【技术资讯】intel低调发布至强E3v5处理器：已不能用于消费级主板

　　今天Intel低调地发布了Skylake架构至强E3-1200 v5家族处理器，本来以为平民神器E3-1230后继有人，但有个天大的悲剧消息——Intel的至强E3处理器很有可能只能用在服务器级主板上，也就是说至强E3-1230 v3+H81/B85这样的黄金搭档要被Intel一刀砍死，服务器处理器就得搭配服务器级主板，就是这么霸道！

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29108-10
【新品播报】IRFK2D450

【用　途】场效应放大模块【性能参数】N沟 500V22A500W 【互换兼容】

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31808-10
【新品播报】BUZ271

【用　途】通用型场效应管【性能参数】P沟 50V22A125W 【互换兼容】

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36508-10
【新品播报】IXTH22P20A

【用　途】 MOS场效应开关音频功率放大管【性能参数】P沟 200V22A200W Ron=0.2Ω 【互换兼容】IXTM22P20 IXTM22P20A

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20408-10
【新品播报】IXTM22P15

【用　途】 MOS场效应开关音频功率放大管【性能参数】P沟 150V22A200W Ron=0.2Ω 【互换兼容】IXTH22P15 IXTH22P15A

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33708-10
【新品播报】IXTH22P15

【用　途】 MOS场效应开关音频功率放大管【性能参数】P沟 150V22A200W Ron=0.2Ω 【互换兼容】IXTM22P15 IXTM22P15A

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30808-10
【新品播报】1N2070A

【用　途】整流二极管【性能参数】硅 400V 750mA Vf=1.0V Lfsm=22A

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27708-10
【新品播报】RFP22N10

【用　途】 MOS场效应开关/功率放大管【性能参数】N沟 100V22A100W 24/18ns Ron=0.08Ω 【互换兼容】BUK555-100B BUK555

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28008-10
【技术资讯】具有成熟的可靠性的新型高精度扁平片式电阻（Vishay

器件采用薄膜技术，具有低至±0.05％的容限，TCR低至±5ppm/K，外壳尺寸分别为0603、0805和1206Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型TNPUe3系列高精度薄膜扁平片式电阻Vishay的新型TNPUe3薄膜扁平片式电阻融合了TNPWe3产品成熟的可靠性与先进的精

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35308-10
【新品播报】1N2784

【用　途】整流二极管【性能参数】硅 200V22AVf=1.5V Lfsm=200A

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22008-10
【新品播报】BUK555-100B

【用　途】金属氧化物场效应管【性能参数】N沟 100V22A125W 【互换兼容】

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17708-10

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