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【用 途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 36W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】SiHF12N50C-E3
关键词：
25708-10
【用 途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 208W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】SiHP12N50C-E3
关键词：
41008-10
【用 途】 功率场效应管【性能 参数】N沟500V 12A 208W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】P12N50C-E3
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37508-10
小编发现，近日有不少热心网友在网络上问到了一个这样比较有代表性的问题：关于E3和i5处理器哪个好？E3和i5哪个好 i5与E3处理器对比在目前中高端主流装机中，选用最多的是i5和E3处理器，其中散片i5和E3-1230价钱差不了多少，但E3性能却比i5强不少。从天梯图看，E3性能
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1099105-10
随着Intel六代Skylake处理器上市，目前六代代E3-1230 v5与i7 6700k新高端处理器都已经上市，不过E3-1230 v5神U只能支持C232芯片（X150）的主板，不支持六代100系列主板那么，E3-1230v5与i7-6700k哪个好呢？下面小编为大家带来了E3-1230 V5和i7-6700K对比，看看六代i7 6700K和E3-1230 v5都有
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25705-10
【用 途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 36W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】F12N50C-E3
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39508-10
【用 途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 208W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】SiHB12N50C-E3
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33508-10
【用 途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 208W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】B12N50C-E3
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39008-10
将器件尺寸扩展到0406和1225，为汽车电路提供增强的热循环性能，功率提高到2.0WVishay 推出采用0406和1225外形尺寸的新器件--- RCL0406e3和RCL1225e3，扩充其RCLe3系列长边端接厚膜片式电阻。对于汽车电子电路和通用产品，RCL0406e3和RCL1225e3提供了增强的热循环性能，功率等级分别提高到0.25W和2.0W。 2014-7-2 13:1
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26208-10
更高端的“xeone3-1290”又被迅速曝了出来。日本厂商japan computing systems近日针对xeon e-1200/core i3-2100系列鸿喜电子面向入门级单路服务器与工作站的xeone3-1200系列处理器刚刚发布，新款高端型号就曝光了
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32808-10
（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出高稳定性薄膜片式电阻的实验室样品套件---TNPW0402e3(LTW0402e396/4)和TNPW0603e3(LTW0603e396/4)，它们可帮助工程师开发原型
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29308-10
Vishay推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的
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44508-10
