diodes公司应用的高热效率、超小型dfn封装的双器件组合技术,推出便携式充电设备的开关。

diodes 亚太区技术市场总监梁后权先生指出，dms2220lfdb和 dms2120lfwb把一个20v的p沟道增强模式mosfet与一个配套二极管组合封装，提供2mm x 2mm dfn2020及3mm x 2mm dfn3020两种封装以供选择。dmp2160ufdb则把两个相同的mosfet组合封装成dfn2020形式。

与传统便携式应用设计中常用的体积较大的3mm x 3mm封装相比，dfn2020节省了55%的pcb空间；仅0.5mm的板外高度，也比传统封装薄了50%，符合下一代产品设计的要求。用于这些封装的mosfet均具有低栅电荷，在 1.8v vgs下的典型r ds(on)为86mΩ，以确保开关及导通损耗最小。

为了进一步提升效率，应用于这些封装的二极管是diodes自己的高性能超势垒整流器 (sbr)。凭借其仅有0.42v的典型低正向压降，sbr的功率损耗远低于传统肖特基二极管。