应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商ONNN)扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS)高性价比及业界领先能效的同时无损强固性。安森美半导体专有的沟槽型场截止技术能为工程师在应用其电源系统设计时提供更丰富的选择。”

第一组新IGBT是NGTB25N120FLWG及开关损耗及超快恢复二极管使它们非常适合于高频太阳能、UPS及逆变焊机应用。这些器件分别拥有40 A、25 A及15 A的额定集电极电流(IC)。三款器件均经过高度优化，用于频率在10千赫兹(kHz)至40 kHz的开关应用，提供低导通电压(VCEsat)及低门电荷(Qg)特性，并具备超快恢复能力，提供极低开关损耗，以保持低功率耗散。这些新IGBT器件都提供−55 °C至+150 °C的工作结温。

第二组新器件也拓宽了安森美半导体的沟槽型场截止IGBT器件阵容，将产品额定电流能力提升至最高40 A。NGTB40N120LWG提供低Vcesat及强固的短路特性，带有快速恢复二极管，用于低频(2 – 20 kHz)硬开关应用，如电机控制变频应用。与这两款器件相辅相成的是NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120IHSWG，这些器件具有均衡的开关及导电损耗，用于中等工作频率(15 – 30 kHz)的电磁感应加热及其它软开关应用，如电火锅、电饭煲及微波炉等电器。

封装及价格

NGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG及NGTB20N120IHSWG均采用紧凑的无铅TO-247封装，每批量10,000片的单价分别为2.00、2.50、4.00、2.50、2.75、3.00、3.25、2.25及1.60美元。

关于安森美半导体

安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。更多信息请访问http://www、onsemi、cn。