电子产业
数字化服务平台

扫码下载
手机洽洽

  • 微信小程序

    让找料更便捷

  • APP

    随时找料

    即刻洽谈

    点击下载PC版
  • 公众号

    电子元器件

    采购信息平台

  • 移动端

    生意随身带

    随时随地找货

  • 华强商城公众号

    一站式电子元器件

    采购平台

  • 芯八哥公众号

    半导体行业观察第一站

理研和松下电工开研制出高功率、高效率的紫外LED

来源: 作者:华仔 浏览:230

标签:

摘要:日本理化学研究所和松下电工宣布,用波长282nm的紫外LED,实现全球最大功率10.6mW的室温连续发光已获确认。由此可实现用于杀灭大肠杆菌等的杀菌灯的小型化。此前在280nm波长区域,最大功率为美国南卡罗莱纳大学研究小组的8mW。   此次的紫外LED在由铝(Al)、镓(Ga)以及氮(N)构成的半导体中添加了百分之几的铟(In)。In的添加提高了p型半导体的空穴浓度,比未添加时,功率提高了5倍左

日本理化学研究所和松下电工宣布,用波长282nm的紫外LED,实现全球最大功率10.6mW的室温连续发光已获确认。由此可实现用于杀灭大肠杆菌等的杀菌灯的小型化。此前在280nm波长区域,最大功率为美国南卡罗莱纳大学研究小组的8mW。   

此次的紫外LED在由铝(Al)、镓(Ga)以及氮(N)构成的半导体中添加了百分之几的铟(In)。In的添加提高了p型半导体的空穴浓度,比未添加时,功率提高了5倍左右。此外,通过把Al的组成比提高到50%以上、向量子阱发光层注入Si等方法,把波长280nm区域原来仅10%左右的内部量子效率大幅提高至(推定)80%以上。   

该成果将于2008年7月6日~9日在伊豆修善寺举办的“第二届氮化物半导体结晶生长国际研讨会(ISGN-2)”上发布。

来源:日经BP社

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
Baidu
map