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宜普推出具高降压比应用而设计的大电流转换器开发板EPC9016

来源:21ic 作者:wanglr 浏览:326

标签:

摘要:EPC9016开发板内含40 V增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),是一种25 A最大输出电流并采用并联配置的电路设计,可提高电流能力达67%,其最优版图技术可实现最优化效率。宜普电源转换公司宣布推出EPC9016采用半桥式配置的开发板,专为采用氮化镓场效应晶体管的大电流、高降压比、降压中间总线转换器(IBC)应用而设。与采用单一高侧(控制)场效应晶体管相比,我们并联了两个低侧(同步整流

EPC9016开发板内含40 V增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),是一种25 A最大输出电流并采用并联配置的电路设计,可提高电流能力达67%,其最优版图技术可实现最优化效率。

宜普推出专为大电流及具高降压比转换器应用而设的开发板

宜普电源转换公司宣布推出EPC9016采用半桥式配置的开发板,专为采用氮化镓场效应晶体管的大电流、高降压比、降压中间总线转换器(IBC)应用而设。与采用单一高侧(控制)场效应晶体管相比,我们并联了两个低侧(同步整流器)场效应晶体管使得传导时间更长。

与硅MOSFET器件相比,氮化镓场效应晶体管具备超卓的电流共享功能,为理想的可并联工作的晶体管。这块开发板在最优版图上进一步发挥采用超低电感封装的氮化镓场效应晶体管的性能。这种最优版图技术提高了效率并同时降低电压过冲及EMI。

EPC9016 开发板的最高电压为40 V、最大输出电流为25 A,使用半桥配置、配以EPC2015 氮化镓晶体管及板载栅极驱动器(LM5113)。该半桥配置含单一顶部器件及两个并联的底部器件,建议用于具有高降压比例的降压转换器应用包括负载点转换器及给非隔离型通信基建使用的降压转换器应用。

EPC9016 开发板是块2英寸x1.5英寸单板,板上集成了所有关键元件及配以最优版图以实现最优开关性能。此外,电路板上还备有多个探测点,以便测量简单的波形及计算效率。

随EPC9016开发板一起提供的还有一份供用户参考和易于使用的速查指南,内载有详细资料。

EPC9016开发板的单价为130美元,客户可以透过DigiKey公司在网上直接购买。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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