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新型SiBar浪涌抑制器件(泰科电子)

来源: 用户 作者:华仔 浏览:595

标签:

摘要:泰科电子宣布Raychem™品牌的SiBar™系列浪涌抑制器增加了新的产品。这些新的双向瞬态电压抑制器扩大了电压提供范围并降低了电容值,可用于保护高速ADSL/VDSL调制解调器、以太网和以太网供电电路和其他高速通信设备,防止它们因为过电压而受到损坏。新的SiBar浪涌抑制器符合GR-1089Core、ITUK.20/K.21、IEC61000-4-5、FCC第68章以及UL60950等主要标准,并能对行业标准中的50A、80A、100A(10/1000µs)系列的浪涌电

泰科电子宣布Raychem™品牌的SiBar™系列浪涌抑制器增加了新的产品。这些新的双向瞬态电压抑制器扩大了电压提供范围并降低了电容值,可用于保护高速ADSL / VDSL调制解调器、以太网和以太网供电电路和其他高速通信设备,防止它们因为过电压而受到损坏。

新的SiBar浪涌抑制器符合GR-1089 Core、ITU K.20/K.21、IEC61000-4-5、FCC第68章以及UL60950等主要标准,并能对行业标准中的50A、80A、100A (10/1000µs )系列的浪涌电流提供快速的双向保护。

器件的关键性参数:电压范围从6 V至400 V,电容低至12 pF,最大漏电流仅2 µA,最小保持电流为150毫安。器件有SMB(JEDEC DO-214AA)和SMA(JEDEC DO-214AC)两种表面贴装封装可供选择。

SiBar浪涌抑制器能够保护敏感的电信设备和数据通信设备,防止包括雷击在内的瞬态过电压事件造成的损坏,在浪涌电压超过器件击穿电压时起分流作用。当浪涌电压超过击穿电压时,SiBar工作在保护特性曲线的低阻区,形成一个低阻通路,有效地降低过电压。SiBar器件保持低阻状态直到流过该器件的电流下降到低于保持电流。在过电压事件过去之后,SiBar器件自动恢复到高阻状态,系统正常工作。

SiBar器件除了自恢复功能以外,还有尺寸小,通态功耗低,击穿电压准确等特点。新推出的器件电容小,适合在高速数据传输的电路中使用。

该器件符合RoHS的要求,与无铅焊接和大批量贴装的工艺过程兼容,可用于保护通信网络设备,包括模拟和数字线路卡、XDSL和ISDN调制解调器、机顶盒、T1设备以及VoIP设备等。

供货: 现在可提供样品
交货: 收到订单后8-10周
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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