韩国海力士半导体开发出存储容量2Gbit的移动DRAM（）。使用54nm工艺技术进行制造。预定2009年上半年开始量产。适用于便携式网络终端（MID：mobileinternet device）和UMPC（Ultra-Mobile PC）等。

　　电源电压为+1.2V。每个端子的最大数据传输速度为400Mbit/秒。例如，使用32bit总线时的芯片整体最大数据传输速度为1.6GB/秒。遵循JEDEC（JointElectron Device Engineering Council）的标准规格。配备海力士的"One ChipSolutions"功能。根据具体设备的指标，1枚芯片上可使用SDRAM或DDRSDRAM接口，另外还可选择16bit或32bit的输入输出构成。

韩国海力士半导体的、存储容量2Gbit的移动DRAM