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纳米SnO2传感器制备新工艺研究(上)

来源:guotiequan 作者:华仔 浏览:791

标签:

摘要:采用化学沉淀法制备的纳米SnO2粉体,通过表面包覆阴离子活性剂十二烷基苯磺酸钠(DBS)来达到表面修饰的目的.实验结果发现:用DBS直接包覆Sn(OH)4粉体制备的纳米SnO2微粒,其粒径比Sn(OH)4沉淀前包覆DBS工艺制备的SnO2粉体的粒径小,并进行了傅立叶变换红外光谱分析、X射线衍射分析、透射电子显微分析和比表面分析及气敏性能测试.结果表明:在Sn(OH)4沉淀前后的不同时间,加入DBS所制得晶粒尺寸相差较大.用DBS直接包覆普通S

采用化学沉淀法制备的纳米SnO2粉体,通过表面包覆阴离子活性剂十二烷基苯磺酸钠(DBS)来达到表面修饰的目的.实验结果发现:用DBS直接包覆Sn(OH)4粉体制备的纳米SnO2微粒,其粒径比Sn(OH)4沉淀前包覆DBS工艺制备的SnO2粉体的粒径小,并进行了傅立叶变换红外光谱分析、X射线衍射分析、透射电子显微分析和比表面分析及气敏性能测试.结果表明:在Sn(OH)4沉淀前后的不同时间,加入DBS所制得晶粒尺寸相差较大.用DBS直接包覆普通Sn(OH)4,能制备出粒径更小的SnO2微粒,其传感器具有更高的灵敏度和选择性,这是比以往更改进的制备方法.

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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