全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild近日推出800V SuperFET II MOSFET系列，该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻(Rdson)和输出电容(Coss)。新系列帮助设计师提高高性能解决方案（需要600V/650V以上的击穿电压）的效率、成本效益和可靠性，同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。

800V SuperFET II MOSFET系列的最佳可靠性，加上出色的效率和热特性，使其成为各种应用的理想之选。同时，多种可选封装为设计师带来巨大的灵活性，在尺寸受限的设计中尤为如此。该系列的关键应用包括LED照明、LED电视和家庭影院音响设备的电源、电源适配器、服务器、工业电源和辅助电源及微型太阳能逆变器。

“借助Fairchild的全新800V SuperFET II MOSFET系列，制造商可提高产品的效率和可靠性。由于优越的开关性能和低导通电阻，此系列的效率明显优于最接近的竞争产品，”Fairchild的首席技术市场工程师Wonhwa Lee 说。“新系列采用最新的超级结技术，实现小形状因数及更胜以往的高效率，其耐用的内置二极管在高dv/dt条件下可提高工业桥式电路的可靠性。”

Fairchild最新的SuperFET II MOSFET系列由Rdson范围为4.3欧姆至业内最低60毫欧的26个器件（均以各种标准封装提供）组成，为设计师在针对特定应用采用最佳器件中提供更多选择和灵活性。例如，FCD850N80Z是该系列的主要成员，将DPAK中异常低的850毫欧Rdson（最大值）与比主要竞争产品低6~11% 的Rdson（最大值）和低8~13%的Coss(@400V)相结合，使其成为需要低导通电阻和尺寸受限的LED照明应用的理想之选。

Fairchild 800V SuperFET II MOSFET的成员包括：

英飞凌科技股份公司发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。该系列TRENCHSTOP5 AUTO IGBT符合AEC-Q 标准，可降低诸如车载充电、功率因数校正（PFC）、直流/直流和直流/交流转换等电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）应用的功率损耗并提高其可靠性。

全新IGBT系列阻断电压比前代汽车级IGBT高50V，此外，得益于英飞凌TRENCHSTOP 5薄晶圆技术，该系列产品达到同类最佳效率。与现有的尖端技术相比，全新IGBT的饱和电压（VCE(sat)）降低了200mV，开关损耗减半，并且栅极电荷降低2.5倍。同时，由于开关损耗和导通损耗双双降低，与替代技术相比，全新IGBT系列在相同的应用中结温和外壳温度更低。这不仅提高了器件的可靠性，而且最大程度降低了冷却需求。

通过使用TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT，电动汽车设计师可实现器件效率提升所带来的额外优势，即能够延长续航里程或缩小电池尺寸。对混合动力汽车来说，效率提高意味着降低总燃油消耗和减少二氧化碳排放。另外，TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT器件的卓越性能使得其能进入目前主要采用MOSFET技术的应用，并为设计师提供基于不同半导体芯片技术的广泛选择。

TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT系列器件的额定电流为40A或50A，有单一分立式IGBT和可与英飞凌超快“Rapid”硅二极管共同封装的IGBT两种产品。对于这两种产品中的任何一种，英飞凌均能提供H5 HighSpeed和F5 HighSpeed FAST两个系列产品，这取决于优化开关速度和实现最高效率是否为首要设计标准。

效率提升优势示例
对用于车载充电器的典型PFC电路来说，以TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT替代当前尖端技术已经表明效率从97.5%提升至97.9%。如果是3.3kW充电器，这相当于功率损失降低13W。假设充电时间为5小时，这相当于每个充电周期二氧化碳排放减少30g。

供货情况

650V TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT采用TO-247封装。工程样品现已供货，批量生产定于2015年3月。