全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司（「华虹半导体」或「公司」，连同其附属公司，统称「集团」，股份代号：1347.HK）今日推出最新低本高效0.18微米数模混合及嵌入式OTP/MTP工艺平台增强版（0.18CE 工艺平台增强版）。该增强型工艺平台的推出，进一步奠定了华虹半导体在蓬勃发展的微控制器（Microcontroller Unit, MCU）市场中的领先地位，并把现有0.18CE工艺平台扩展至数模混合电路及电源管理芯片领域，为拓展新的应用市场打下了坚实基础。

华虹半导体0.18CE工艺平台增强版是在0.18微米低本高效OTP（One-Time Programming）工艺平台的基础上研发升级而来。其最大优势是通过利用第三方授权的OTP Cell，并依托自身经验丰富的嵌入式存储器IP设计、制造工艺和IP测试三方面的整合能力，可为客户提供优化的OTP IP，并实现更小的OTP面积、更高的速度、更低的功耗。通过这些改进，该工艺平台在成本、性能和功耗等诸多方面具有行业领先的竞争优势。目前，已有多个国内外客户的产品进入量产。

瞄准物联网和智慧能源应用市场对低功耗MCU的庞大需求，华虹半导体又与合作伙伴联合推出了更丰富的嵌入式存储器方案。其中，OTP + LogicEE（Logic Technology Compatible EEPROM）的解决方案，以内嵌IP取代8位MCU外部成本较高的标准电可擦可编程只读存储器（EEPROM），可大幅度降低生产成本。该解决方案不仅能够大大提升读写速度，还可减少耗电量，有效延长待机时间，更能克服外挂式芯片数据容易遭到窃取的缺点，强化数据保密功能。

另外，在MTP（Multiple-Time Programming）解决方案中，客户通过MTP IP可以方便地在系统上反复修改设计程序，从而提升客户产品的功能及有效改善生产存货管理。作为OTP MCU的升级版，MTP可提供的容量由1Kx8位到 8Kx16位，其IP面积极具竞争力，可应对客户多元化和高性价比的需求。

同时，通过推出低阈值电压（Low Vt）、NPN双极结型晶体管（BJT）、耗尽型（Depletion）、齐纳二极管（ZenerDiode）、18V LDMOS器件，华虹半导体将扩大其在数模混合电路和电源管理IC领域的产品阵容，为诸如电量计、温度传感器、智能电表、移动电源和微机电系统（MEMS）专用集成电路（ASIC），提供高性能低成本的解决方案。

华虹半导体执行副总裁范恒先生表示：“0.18CE工艺平台增强版是华虹半导体与合作伙伴共同耕耘的成果。该增强型工艺平台可为客户提供一系列创新、高性能和有竞争力的嵌入式存储器IP等完整解决方案。其产品应用广泛，可适用于可穿戴式设备、移动通讯、物联网和智慧能源。华虹半导体将继续加大研发投入，与国内外合作伙伴携手，开创进军物联网市场的新局面。”

IDT公司(IDT)近日发布全新抖动衰减器和频率合成器产品，这些新器件能够提供超高性能，可满足具有最严格相位噪声需求的应用场景，包括JESD204B标准兼容的RF时序。8V19N407和8V19N408支持高达3 GHz的输出频率，以及82fs（飞秒）均方根（RMS）相位噪声，能够满足多载波GSM无线收发器（radio transceivers）、40和100Gb以太网物理层（PHY）以及其他高性能应用的需求。

8V19N407和8V19N408可在无线、工业和雷达应用中为JESD204B subclass 1兼容的ADC / DAC转换器产生时钟和SYSREF信号。这些器件能够输出多个高性能同步时钟，因而也理想适用于高速以太网和有线电视头端（head-end）等应用。

对于无线通信，新器件可满足GSM相位噪声和阻塞（blocker）规范，而无需外部滤波器。对于40/100千兆以太网物理层，8V19N407和8V19N408能够产生低相位噪声时钟，可减少误码率，并实现可靠的数据传输。

IDT公司网络通信事业部副总裁兼总经理Louise Gaulin介绍说：“IDT公司全新的抖??动衰减器和频率合成器产品可以简化复杂的RF时序设计。这些高集成度器件可以取代多个压控振荡器（VCO）和分立元件，理想适用于那些需要同类最佳相位噪声性能的应用。”

新器件可提供频率范围从25MHz至3000MHz的宽范围输出，以及LVDS和LVPECL幅度可调输出。8V19N407支持以太网频率，使其适用于40G和100G以太网物理层时序，而8V19N408则包括双压控振荡器，能够提供频率规划的灵活性。

8V19N407和8V19N408抖动衰减器及频率合成器产品现已供货，它们采用10×10mm的72-VFQFN封装。