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半导体行业观察第一站
半导体根据掺入的杂质元素的不同，可以分为P型半导体和N型半导体。二极管有PN结，采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的交界处形成空间电荷区称之为PN结，PN结具有单向导电性。 当把P型半导体和N型半导体制作在一起时，在它们的交界面处，由于两种半导体多数载流子的浓度差很大，因此P区
关键词：
11809-30
LED的基本结构是一个半导体的P—N结。实验指出，当电流流过LED元件时，P—N结的温度将上升，严格意义上说，就把P—N结区的温度定义为LED的结温。
关键词：
42208-10
图1N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号 MOS场效应三极管分为：增强型（又有N沟道、P沟道之分）及耗尽型（分有N沟道、P沟道）。N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见图1。1．N沟道增强型MOSFET （1
关键词：
48410-01
鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电
关键词：
57908-10
测+B电压为50V左右，怀疑CPU未工作，造成整机处于待机状态，测CPU32脚的电压时有时无，发现GA01(8M)虚焊，补焊后小黄灯不再闪烁，但仍处于待机状态，怀疑8M振荡晶振不良，更换后，故障排除。
关键词：
78108-10
(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8VN沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET?功率MOSFET所用的MICRO FOOT?
关键词：
61108-10
下载图为P沟道场效应管，下右图为N沟道场效应管，二者的区别有两点： 一是栅源电压VGS方向正好相反。P沟道场效应管要导通，栅极CJ电压必须低于源极S电压，且低到某种程度；而N沟道场效应管要导通，栅极G电压必须高于源极S电压，且高到某种程度。可见．P沟道场效应管导通时栅源电压VGS为反偏压。N沟道场效应管导通时栅源电压VGS为正偏压。 二是电流方向正好相反。P沟道场效应管的电流方向是由源极S流向漏极
关键词：
646711-07
宣钢炼钢厂有大量的风机类水泵类负载,这类负载由流体力学可知,p(功率)＝Q(流量)×H(压力),流量Q与转速N的一次方成正比,压力H与转速N的平方成正比,功率P与转速N的立方成正比,如果水泵的效率一定,当要求调节流量下降时,转速N可成比例的下降,而此时轴输出功率P成立方关系下降。
关键词：
24610-20
