【 】即期N声节拍器

精确可调的每分钟节拍控制可以从比较慢的18到比较快的500.这些节拍是通过扬声器产生听觉效果。一个灯以同样的速度闪烁。当SW1关闭，C1开始通过R1和R2充电。C1最终将达到一个电压，单晶体管的发射极在这个电压上打开，把存储在C1上的能量转换到8欧姆的扬声器上。

【新品播报】两款N沟道MOSFET（Diodes）

Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话(VoIP)通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。

【解决方案】N线截面的选择

; 1．中性线(N线)截面的选择;;;N线截面按以下要求选用。;;; ①对于相线截面不大于16mm2（铜）及25mm2（铝）的任何供电系统，其相应的N线截面与相线截面相同。单相两线、二相三线中的N线截面应与相线截面相同。;;; ②三相负荷平衡电路中的N线，其截面一般为相线截面的一半。;;; ③电缆线路的N线，采用中性线的四芯电缆时，可利用其中性线及包皮作N线。

【解决方案】N沟道的SiC功率MOSFET

该SCT2450KE是在SiC（碳化硅）的平面MOSFET。（碳化硅SBD没有共同包装）特点包括高耐压，低导通电阻和快速开关速度。

【解决方案】P型和N型半导体

P型和N型半导体如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质，例如硼或铟，它们的价电子带都只有三个电子，并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。

【新品播报】190VN通道功率 MOSFET（Vishay）

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出业界首款带有同体封装的190V功率二极管的190Vn通道功率MOSFET---SiA850DJ，该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0.75mm的超薄厚度。采用PowerPAK®SC-70封装的SiA850DJ还是在1.8VVGS时具有导通电阻额定值的业界首款此类器件。SiA850DJ的典型应用将包括面向高压压电电动机的升压直流到直流转化器以及手机、PDA、MP3播放器及智能电话等便携式设备中的有机LED（OLED）背光。将MOSFET及功

【技术资讯】N沟道VMOSFET驱动电路

普通MOSFET的栅极、源极、漏极处于芯片水平方向的同一表面上，导通时的工作电流沿芯片表面按水平方向流动，称为水平式场效应管。VMOSFET的栅极做成V形，源极制做在栅极的两边，栅极与半导体材料之间的S1O2层也做成V形。GS间施加电压后形成的反型层导电沟道呈V形，漏极电流垂直向源极流动，到达表面时沿V形导电沟道流到源极S，故称为VMOSFET。由于VMOSF

【 】2的n次方倍频器

【 】1/n计数器

下面是 [1/n计数器 ]的 　　CD4017.pdf 1/n计数器电路(责任编辑：admin)

【新品播报】N沟道功率MOSFET（Vishay Siliconix）

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAK®SC-75封装、提供8V～30VVDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET®已经发布的SiliconixSiB414DK是首款8V单N沟道功率MOSFET，也采用PowerPAKSC-75占位的封装，30VSiB408DK和20VSiB412DK的加入进一步壮大了该产品系列。

【技术资讯】IPC-7711&7721B &n

公司简介：深圳市强博康资讯有限公司是我国最早为电子组装行业提供技术支持的资讯服务企业，主要致力于提供与SMT有关的技术、管理、标准培训及为SMT供应商组织各种研讨会及新闻发布会。主要培训系列有：SMT技术和管理系列；SMT工艺系列；IPC标准系列（IPC-A-610；IPC J-STD-001；IPC-7711&7721； IPC-A-600；IPC-A-620等）等课程。另外我

【新品播报】N-2012E16行输出变压器

【用　途】 行输出变压器【性能 参数】1-2-4 3-5-6-8-9-10 【互换 兼容】0321