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英特尔公司正致力开发其高性能65纳米逻辑工艺的超低功耗版，以支持面向移动平台和小型设备的超低功耗芯片的生产。这种超低功耗工艺将会是英特尔第二代基于65纳米制造技术的芯片工艺。英特尔65纳米高性能工艺较90纳米工艺在功耗和性能方面双双胜出。英特尔此种超低功耗65纳米的工艺工艺为英特尔芯片设计人员提供了更多选择，以满足电控设备用户对于电路密度、性能及功耗的各种需求。
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76008-10
英特尔计划在中国新建一座65纳米工艺芯片制造工厂，消息灵通人士指出，这将是迄今为止，英特尔在中国最大一笔投资。这座工厂将生产65纳米工艺多核处理器，这将是英特尔在亚洲建立的第一家65纳米工艺芯片制造工厂。到目前为止，英特尔已经在中国投资了10亿美元，这其中包括在上海和成都的测试与封装工厂。65纳米工艺是目前芯片制造当中
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46308-10
产品型号:1n5355bg齐纳击穿电压vz最小值(v):17.100齐纳击穿电压vz典型值(v):18齐纳击穿电压vz最大值(v):18.900@izt(ma):65齐纳阻抗zzt(ω):2.500最大功率pmax(w):5芯片标识:1n5355b封装/温度(℃):surmetic40/-65~200价格/1片(套):￥1.50
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73008-10
产品型号:1n5355b齐纳击穿电压vz最小值(v):17.100齐纳击穿电压vz典型值(v):18齐纳击穿电压vz最大值(v):18.900@izt(ma):65齐纳阻抗zzt(ω):2.500最大功率pmax(w):5芯片标识:1n5355b封装/温度(℃):surmetic40/-65~200价格/1片(套):￥1.50
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135108-10
产品型号:1n5355brlg齐纳击穿电压vz最小值(v):17.100齐纳击穿电压vz典型值(v):18齐纳击穿电压vz最大值(v):18.900@izt(ma):65齐纳阻抗zzt(ω):2.500最大功率pmax(w):5芯片标识:1n5355b封装/温度(℃):surmetic40/-65~200价格/1片(套):￥1.50
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30808-10
产品型号:1n5355brl齐纳击穿电压vz最小值(v):17.100齐纳击穿电压vz典型值(v):18齐纳击穿电压vz最大值(v):18.900@izt(ma):65齐纳阻抗zzt(ω):2.500最大功率pmax(w):5芯片标识:1n5355b封装/温度(℃):surmetic40/-65~200价格/1片(套):￥1.50
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38508-10
58齐纳击穿电压vz典型值(v):62齐纳击穿电压vz最大值(v):66@izt(ma):1齐纳阻抗zzt(ω):500最大功率pmax(w):0.100芯片标识:1e封装/温度(℃):sod523/-65~150价格/1片(套):￥.65
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27508-10
64齐纳击穿电压vz典型值(v):68齐纳击穿电压vz最大值(v):72@izt(ma):1齐纳阻抗zzt(ω):500最大功率pmax(w):0.100芯片标识:1f封装/温度(℃):sod523/-65~150价格/1片(套):￥.65
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31308-10
40齐纳击穿电压vz典型值(v):43齐纳击穿电压vz最大值(v):46@izt(ma):1齐纳阻抗zzt(ω):500最大功率pmax(w):0.100芯片标识:21封装/温度(℃):sod523/-65~150价格/1片(套):￥.65
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35808-10
52齐纳击穿电压vz典型值(v):56齐纳击穿电压vz最大值(v):60@izt(ma):1齐纳阻抗zzt(ω):500最大功率pmax(w):0.100芯片标识:1d封装/温度(℃):sod523/-65~150价格/1片(套):￥.65
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40208-10
48齐纳击穿电压vz典型值(v):51齐纳击穿电压vz最大值(v):54@izt(ma):1齐纳阻抗zzt(ω):500最大功率pmax(w):0.100芯片标识:1c封装/温度(℃):sod523/-65~150价格/1片(套):￥.65
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30708-10
Cadence设计系统公司 (NASDAQ: CDNS)与领先的全球半导体晶圆厂UMC (NYSE: UMC, TSE: 2303)日前宣布推出基于通用功率格式（CPF）的低功耗参考设计流程，面向UMC65该参考流程让客户能够在使用UMC的低功耗套件时实现最佳的65纳米低功耗设计，该套件中包含了基于CPF的库和其他知识产权。这种65纳米低功耗参考流程使用UMC的“
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43208-10
