【技术资讯】东芝扩充低压N通道MOSFET阵容

"21ic讯 低导通电阻可减少移动设备的传导损失东芝公司宣布通过TPN2R203NC”扩充移动设备锂离子电池和电源管理开关专用保护电路中使用的低压N通道MOSFET的阵容。

【解决方案】使用N沟JFET和负电源的电路

;;; 图3.31是使用N沟JFET和负CC1101RTKR电源的电路。如果用负电源使N沟JFET工作，就成为这样的电路。即使使用负电源，基本的电路结构完全没有变化。

【新品播报】威世推出30V 厚度0.8mmN沟道-SiA444DJT

宾夕法尼亚、MALVERN—2011年3月14日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出采用0.6mm超低外形的热增强ThinPowerPAK®SC-70封装的新款30VN沟道---SiA444DJT和20VP沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA429DJT。在2mmx2mm的占位面积内，新的SiA444DJ

【新品播报】安森美推出100 VN沟道MOSFET NTP641x

2010年2月2日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN) 扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。安森美半导体这些100 V功

【新品播报】德州仪器推出N沟道功率MOSFET

日前，德州仪器 (TI) 推出其NexFET 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B

【解决方案】N>M -解决方案-

因为芯片本身的模值大于所要设计的模值，所以我们可以利用芯片的清零端或置数端跳过多余的状态来实现。 　　1. 反馈置零法（反馈复位法） 　　从芯片的输出端引出状态反馈去控制芯片的清零端，强迫计数器停止当前计数并清零，以实现计数值从0到M－1的M进制计数器。 　　例1. 用74LS90构成七进制计数器。 　　解：首先将74LS90接成8421BCD码十进制计数器。M=7的二进制代码为0111。由于74

【解决方案】智能手表不靠谱的N个原因

智能手表已经泛滥，市面上充斥着iWatch、Surface等各种产品。这些智能手表，每一款都有其独特的外形和功能。然而却有很多限制因素，使目前的智能手表都不怎么靠谱。...

【 】CMOS可编程N分频计数器电路

下面是 [CMOS可编程N分频计数器电路]的 　　CMOS可编程N分频计数器电路(责任编辑：admin)

【技术资讯】高速同步N沟道 MOSFET 驱动器（Linear）

　　凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4443/-1，该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端N沟道功率

【技术资讯】n-GaAs和P-GaN晶片的直接键合

【解决方案】3DJ系列N沟道结型场效应管

3DJ系列N沟道结型场效应管3DJ系列场效应管的主要特性参数见表16-1。

【 】变换器的n次谐波等效电路

图变换器的n次谐波等效电路