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63608-10
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8VN沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。
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32008-10
它的主芯片采用飞利浦公司的TDA937*系列(经济型)超级芯片,其电路结构组成与”K/N”系列超级芯片TDA9383彩电大体相同.下面以康佳P29SK061型彩色电视机为例,介绍”SK”系列彩色电视机与”K/N”系列彩电视机的电路异同.
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126008-10
此故障一般发生在色度信号解码及处理电路。将制式置PALD/K位置,用万用表测TA8615N(25)脚电压为7.8V正常。测V109c极电压也为正常的0.2V,检查VD101正、负端电压都为1.25V,说明VD101已击穿,造成VD103负端电位升高而截止,将中频特性曲线校正为NTSCM制式,彩色副载波中频被335MHz中频陷波器吸收,从而导致图
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32408-10
Vishay推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。
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25108-10
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53008-10
N沟道增强型MOSFETN沟道增强型MOSFET的工作原理1)N沟道增强型MOSFET的结构N沟道增强型MOSFET结构的示意图如图4-2a所示,增强型MOSFET的符号如图4-2b所示。
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382508-10