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【用 途】 变容/电压调整管 【性能 参数】硅 Pdm=250mW Cj=11-17pF Cj1/Cj2=2.5 Rs=1.5Ω 【互换
关键词:
240 08-10
【用 途】 变容/电压调整管 【性能 参数】砷化镓 Cj=0.5-0.75pF Cj1/Cj2=2.5 Q=10 【互换
385 08-10
【用 途】 串行接口电可擦写存储器 【性能 参数】工作电压=2.5~5.5V,存储容量=8Kbit。
338 08-10
【用 途】 串行接口电可擦写存储器 【性能 参数】工作电压=2.5~5.5V,存储容量=2Kbit。
295 08-10
【用 途】 串行接口电可擦写存储器 【性能 参数】工作电压=2.5~5.5V,存储容量=32Kbit。
312 08-10
【用 途】 串行接口电可擦写存储器 【性能 参数】工作电压=2.5~5.5V,存储容量=16Kbit。
372 08-10
【用 途】 串行接口电可擦写存储器 【性能 参数】工作电压=2.5~5.5V,存储容量=4Kbit。
319 08-10
【用 途】 场效应甚高频管 【性能 参数】N沟 20V 2.5-7mA 0.3W 【互换 兼容】BF244 BF245
315 08-10
【用 途】 普通用途场效应管 【性能 参数】N沟 30V 2.5-7.5mA 0.3W Ron=600Ω Nf<1.5dB 【互换 兼容】
682 08-10
【用 途】 电压检测器 【性能 参数】检测电压=3.2V±2.5%,输出特性C-MOS(form),SOT-89封装。
【用 途】 电压检测器 【性能 参数】检测电压=2.7V±2.5%,输出特性C-MOS(form),SOT-89封装。
256 08-10
【用 途】 电压检测器 【性能 参数】检测电压=2.5V±2.5%,输出特性C-MOS(form),SOT-89封装。
264 08-10