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今天，他们又曝光了同样来自Haswell家族的服务器版XeonE3-1280 v3。根据此前披露的资料，E3-1280 v3是一颗高端型号，四核心八线程，主频3.6GHz，动态加速最高4.0GHz，三级缓存8MB，无核芯显卡，热设计功耗82W。而关注最高的应该还
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27308-10
VRWM(V):53最大反向漏电流IR(uA):5最大反向浪涌电流Ipp(A):17.700最大反向电压(钳位电压)Vc(V):85雪崩电压(VBR)最大温度系数(％/℃):0.100芯片标识(MARK):62A
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24308-10
夜幕降临后，指示灯E3发出红灯，警示该地段有危险。当公路上有汽车驶近危险地段时，指示灯E1、E2构成的交通标志被显示出来，同时指示灯E3和E4发出红绿闪光。当汽车驶离危险地段后，指示灯E3保持红灯状态，指示灯E1、E2和E4熄灭。该电路主要由声控电路、振荡电路及驱动显示电路等组成。
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163008-10
今天百事网小编带来的是关于至强E31230V5配什么主板介绍，虽然E31230V5处理器上市也有一段时间了，但考虑到这款主板的特殊性以及近期不少网友问到的比较多，所以特此发布此文，一起来了解一下吧。
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83605-13
器件规格表： 型号 阻值范围 阻值容差 tcr 额定耗散 工作电压 rcl0612e31 ω - 1 mω ± 1 % ± 100 ppm/k 0.5 w 75 v ± 5 % ± 200 ppm/k rcl1218e31 ω – 2.2 mω ± 1 % ± 100 ppm/k 1.0 w 200 v ± 5 % ± 200 ppm/k 新电阻现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周
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47008-10
年度最大型游戏行业盛会E3上周闭幕，包含许多VR相关亮点。事实上，2017年E3上的VR公司数量是去年的两倍，行业正在迅速增长。增长是增长了，但现在很多游戏玩家仍然没被VR场景打动，它并不...
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14202-18
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型TNPUe3系列高精度薄膜扁平片式电阻，外壳尺寸分别为0603、0805和1206。 Vishay的新型TNPUe3薄膜扁平片式电阻融合了TNPWe3产品成熟的可靠性与先进的精度水平。
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59308-10
VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET---SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该
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66408-10
Applied Materials日前宣布推出先进的设备及工艺解决方案——AppliedE3(TM)工厂自动化软件包，应用在半导体、平板显示器及太阳能制造中旨在提高生产力降低生产成本。AppliedE3系统能够提高产能30%，减少非计划性停机时间、并缩短周期时长，从而整体设备效率的提升幅度达20%。AppliedE3独特性地整合了关键设备自动化及工艺控制元件，为当今市场提供了最为灵活、易于操
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64808-10
其工作原理：220V交流电压经R36限流、C3降压、D2整流后为电容器E3充电。Dl为C3的续流二极管，目的是在D2截止时泄放掉C3所充左负右正的电压，为下半周电流经C3为E3充电扫清障碍。E3上电压再经R33限流、ZD1稳压(1N4733，5.1V)后，输出控制电路所需的-5V供电电压。
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122008-10
Vishay推出新款500VN沟道功率MOSFET---SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。 SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性，从而能够更好地抵御EMI，实现更高的效率，同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。
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81808-10
