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将器件尺寸扩展到0406和1225，为汽车电路提供增强的热循环性能，功率提高到2.0WVishay 推出采用0406和1225外形尺寸的新器件--- RCL0406e3和RCL1225e3，扩充其RCLe3系列长边端接厚膜片式电阻。对于汽车电子电路和通用产品，RCL0406e3和RCL1225e3提供了增强的热循环性能，功率等级分别提高到0.25W和2.0W。 2014-7-2 13:1
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26208-10
更高端的“xeone3-1290”又被迅速曝了出来。日本厂商japan computing systems近日针对xeon e-1200/core i3-2100系列鸿喜电子面向入门级单路服务器与工作站的xeone3-1200系列处理器刚刚发布，新款高端型号就曝光了
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32708-10
（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出高稳定性薄膜片式电阻的实验室样品套件---TNPW0402e3(LTW0402e396/4)和TNPW0603e3(LTW0603e396/4)，它们可帮助工程师开发原型
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29208-10
Vishay推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的
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44508-10
（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V
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28608-10
英特尔日前在上海召开“至强”E3（代号Bromolow）处理器发布会，展示了以“至强”处理器E3家族产品为核心的服务器产品和解决方案。 “至强”处理器E3家族产品是一款入门级的服务器，相比上一代服务器和桌面系统，“至强”E3处理器拥有更高的性能，可满足苛刻的工作负载需求，其计算能力更强大、故障更少、信息访问更容易，用户可提高工作效率，更快地对业务做出响应基于“至强E3”处理器的服务器能够保
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32708-10
（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。 SiHF8N50L-E3改善
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24908-10
Vishay推出500VN沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款500VN沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性，从而能够更好地抵御EMI，实现更高的效率，同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。Vishay今天推出的新MOSFET
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57308-10
（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列长边接头厚膜贴片电阻 --- RCLe3。新电阻的外形尺寸为0612和1218，功率等级高达1.0W，可耐受高温循环。RCL0612e3和RCL1218e3通过了AEC-Q200 Rev. C认证，其宽大的端头实现了高功率耗散。在密集堆
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31408-10
（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。 SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性，从而能够更
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32708-10
今天Intel低调地发布了Skylake架构至强E3-1200 v5家族处理器，本来以为平民神器E3-1230后继有人，但有个天大的悲剧消息——Intel的至强E3处理器很有可能只能用在服务器级主板上，也就是说至强E3-1230 v3+H81/B85这样的黄金搭档要被Intel一刀砍死，服务器处理器就得搭配服务器级主板，就是这么霸道！
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29008-10
