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92908-10
11月27日消息，海力士（Hynix）半导体公司本周日表示，它计划于明年下半年开始量产54纳米的DRAM芯片。据国外媒体报道称，与目前的66纳米工艺相比，54纳米工艺能够将生产效率提高40%。
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70608-10
164 为 8 位移位寄存器,其主要电特性的典型值如下：54/74164 185mW54/74LS164 80mW当清除端（CLEAR）为低电平时，输出端（QA－QH）均为低电平。
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639608-10
2010-1-26 10:12:54上传下载附件 (24.86 KB)512GB版金士顿SSDNow V+为2.5寸规格SATA 3.0Gbps接口，使用MLC闪存，连续传输速度为230MB/s读，180MB2010-1-26 10:12:54上传下载附件 (28.
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45208-10
据韩联社报道，海力士半导体在世界上率先研发出了采用54纳米技术的2Gb移动动态随机存取存储器(DRAM)，计划从明年上半年开始生产。 该产品是世界上首个采用54纳米超微工艺的2Gb高容量产品。
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28008-10
54条生产线的计划正在进行中发布资料显示，2010年正在实施的半导体生产线新建计划合计有54条。54条生产线中约有一半是面向LED的，其大
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79708-10
9月8日消息，据国外媒体报道，AMD和ATI日前宣布，双方54亿美元的并购案已经得到了美国、加拿大和德国反垄断部门的批准，从而扫清了反垄断障碍。据路透社报道，AMD和ATI日前在一份声明中称：“这笔54亿美元的并购案已经得到了美国、加拿大和德国反垄断部门的批准。”尽管扫除了反垄断障碍，但该交易仍需要得到ATI股东的投票批准。美国时间7月24日，AMD于宣布以总计54亿美元的现金和股票收
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