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4个N沟道VMOS构成的H桥电路为实现电动机的正、反两个方向的转动,传统的电机驱动电路一般都采用大功率的VMOS管构成H桥电路。VMOS管有N沟道和P沟道之分,由于制造工艺方面的原因,P沟道的VMOS管通过的电流较小,因此,一般采用4个N沟道的VMOS管构成H桥电路(如图1所示)。
关键词:
1397005-11
单独电子会在半导体材料的p-n结上跳动(由n区到p区)。有些半导体(如镓)的带隙十分宽阔,电子需要相当大的能量才能跳过p-n结。每个电子与原子复合,就会发射出一种光粒子,称为光子”。
关键词:
45908-10
优化LED 的电极形状需要注意3 个方面:①使用n电极环绕p电极的方法,这样能够让电流在尽可能大的面积上由p电极进入n电极,增加有效发光长度; ②n与p
关键词:
19206-10
基极的输入电流应该比较小,集电极和基极电流比值较高,这也是通常情况下发射区(如N+或者P+)比基区(如P或者N)扩散浓度大的原因。集电极低掺杂(如N-或者P-)减小了反向偏置电流,增加了BC结的击穿电压,即可承受更高的CE电压。由于流经集电极的电流是少数载流子扩散进入基区形成的,因此与正向偏置BE结电压,讫
关键词:
124708-10