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【解决方案】Diodes MOSFET H桥节省50%占位面积

Diodes公司（Diodes Incorporated）推出一对MOSFET H桥，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。

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21303-22
【技术资讯】Diodes推出一对MOSFET H桥——DMHC4035LSD和DMHC3025LSD

Diodes公司(Diodes Incorporated)推出一对MOSFET H桥，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。

关键词：

43503-21
【新品播报】FU-13

【用　途】直热式碳化钍钨阴极束射四极管/功率放大【性能参数】灯丝电压(Uf≈)=10V;灯丝电流(If)=5±0.3A;阳极电压（Ua）=2kV;第一栅极电压（Ug1）-100V;第二栅极电压（Ug2）=400V;束射屏电压（Us）=0V;阳极电流①（Ia）=50±15mA;第一栅极反向电流②（-Ig1）≤10μA;输出功率③（

关键词：

43508-10
【新品播报】Z2SMB-13

【用　途】贴片稳压二极管【性能参数】硅 13V 2.0A【互换兼容】GM Z2SMB-13

关键词：

38008-10
【新品播报】LW1-13

【用　途】电压基准二极管【性能参数】硅 12.3-14.1V 10mA 0.5mW Ctv=0.079×10(负2次方)/℃ 【互换兼容】

关键词：

42408-10
【新品播报】GY5-13

【用　途】电压基准二极管【性能参数】硅 12.4-14.1V 35mA 500mW Ctv=7.9×10(负4次方)/℃ 【互换兼容】1N5243

关键词：

40108-10
【新品播报】BWY-13

【用　途】厚膜稳压电路【性能参数】整流稳压部件,混合型,输入电压范围=~13.5-10%～~33.5+10%V,输出电压=5,6,9,12,15,18,24,30V,输出电流=1A,波纹抑制比=1dB,最大功耗=11.4W。

关键词：

30608-10
【新品播报】BD435-13

【用　途】音频功率放大【性能参数】硅 NPN 32V 4A 36W *K 【互换兼容】BD185 BD195 3DD62A

关键词：

24408-10
【新品播报】BD436-13

【用　途】音频功率放大【性能参数】硅 PNP 32V 4A 36W *K 【互换兼容】BD186 BD196 CD50A

关键词：

33708-10
【新品播报】BD377-13

【用　途】音频功率放大【性能参数】硅 NPN 75V 2A 25W *K 【互换兼容】BD177 BD235 BD439 3DA29C

关键词：

31508-10
【新品播报】BD137-13

【用　途】音频功率放大【性能参数】硅 NPN 60V 1.5A 12.5W *K 【互换兼容】BD167 BC277 BD228 BD235 BC439 3DA1C

关键词：

40708-10
【新品播报】BD148-13

【用　途】音频功率放大【性能参数】硅 NPN 60V 4A 31W 【互换兼容】BD243A BD587 BDY71 BDY78 2N3054 3DD64B

关键词：

25708-10

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